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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC338-40 TO-92 NPN

EAN:
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Bestell-Nr.:
Ein Transistor im TO-92-Gehäuse mit drei Beinen. 활용 장치는 전자회로에서 Verstärkung und Schalten.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
25 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

BJT, TO-92, 25V, 800mA, NPN

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Technische Daten

  • Typ: Wire-lead
  • Gehäuse: TO-92
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 25 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 800 mA
  • Polarität - pol: NPN
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 400
  • VCE: 1 V
  • IC: 100 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
  • IC: 500 mA
  • IB: 50 mA
  • Transitfrequenz - ft: 100 MHz
  • IC: 10 mA
  • VCE: 5 V
  • f: 50 MHz
Typ

BC338-40

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92

Hersteller

Diotec

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

800 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

25 V

VCE Sättigung (max.)

700 mV

Leistung (max) P(TOT)

0.625 W

DC Stromverstärkung (hFE)

400

Transitfrequenz f(T)

50 MHz

Montageart

Durchsteckmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809153 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC338-40 TO-92 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809153 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC338-40 TO-92 NPN

Zubehör

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)

Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden

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