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Conrad

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC807-40 SOT-23 PNP

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Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
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Highlights & Details

BJT, SOT-23, 45V, 800mA, PNP

  • Aktive Bauelemente|Transistoren (bipolar)|SMD NF-Kleinleistungstransistoren SOT23, volle VEs

Unser Service für Sie

Umwelt & Entsorgung (Elektrogeräte, Batterien, Verpackungen)

Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: SOT-23
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 800 mA
  • Polarität - pol: PNP
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 0.310 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 400
  • VCE: 1 V
  • IC: 100 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
  • IC: 500 mA
  • IB: 50 mA
  • Transitfrequenz - ft: 100 MHz
  • IC: 10 mA
  • VCE: 5 V
  • f: 50 MHz
Typ

BC807-40

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Hersteller

Diotec

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

800 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

45 V

VCE Sättigung (max.)

700 mV

Leistung (max) P(TOT)

0.31 W

DC Stromverstärkung (hFE)

400

Transitfrequenz f(T)

50 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809186 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC807-40 SOT-23 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809186 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC807-40 SOT-23 PNP

Beschreibung

Silizium-Transistoren/NL/NLDie Lieferung erfolgt ausschließlich in vollen Verpackungseinheiten!/NL

Lieferumfang

  • 1 Stück

Zubehör

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