Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817BPN SOT-26 NPN, PNP kaufen

Zwei schwarze SOT-26-Chips mit sechs Anschlüssen, aus unterschiedlichen Perspektiven dargestellt.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-26

Ausführung

NPN

PNP

Collector-Strom I(C)

500 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

45 V

Datenblatt (PDF)

Lieferung Do., 17. Dez. 2026

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Highlights & Details

BJT, SOT-26, 45V, 500mA, NPN+PNP

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ: SMD
Gehäuse: SOT-26
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
DC Kollektorstrom - IC: 500 mA
Polarität - pol: NPN+PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.300 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 280
VCE: 1 V
IC: 100 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 90 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 100 MHz

Typ: BC817BPN

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: SOT-26

Hersteller: Diotec

Ausführung: NPN
PNP

Collector-Strom I(C): 500 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V

VCE Sättigung (max.): 700 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.3 W

DC Stromverstärkung (hFE): 280

Transitfrequenz f(T): 100 MHz

Montageart: Oberflächenmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809202 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817BPN SOT-26 NPN, PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809202 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817BPN SOT-26 NPN, PNP