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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856S SOT-363 PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-363
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
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Highlights & Details
BJT, SOT-363, 65V, 100mA, PNP
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-363
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 65 V
- DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
- Polarität - pol: PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.310 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 350
- VCE: 5 V
- IC: 2 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 600 mV
- IC: 100 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 100 MHz
- Typ
BC856S
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-363
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
- VCE Sättigung (max.)
600 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.31 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
350
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809273 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856S SOT-363 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809273 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856S SOT-363 PNP
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=BC856S, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=475, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=80 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=65 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=650 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=250 mW, Pins=6, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=SOT-363, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle