Name: Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904 SOT-23 NPN
Brand: Diotec
SKU: 2810120
Availability: InStock

Zwei schwarze, rechteckige SMD-Transistoren im SOT-23-Gehäuse mit silbernen Anschlüssen.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

200 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

40 V

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Highlights & Details

BJT, SOT-23, 40V, 200mA, NPN

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Technische Daten

Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 V
DC Kollektorstrom - IC: 200 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.350 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 300
VCE: 1 V
IC: 10 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mV
IC: 50 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 300 MHz
IC: 10 mA
VCE: 20 V
f: 100 MHz

Typ: MMBT3904

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: SOT-23

Hersteller: Diotec

Ausführung: NPN

Collector-Strom I(C): 200 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V

VCE Sättigung (max.): 300 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.35 W

DC Stromverstärkung (hFE): 300

Transitfrequenz f(T): 100 MHz

Montageart: Oberflächenmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Varianten(Alle Angaben sind inkl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Collector-Strom I(C)

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

Leistung (max) P(TOT)

Ausführung

Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904 SOT-23 NPN

Bestell-Nr.:2810120

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200 mA

40 V

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NPN

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23 NPN

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A-AQ SOT-23 NPN

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2907A SOT-23 PNP

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2907A-AQ SOT-23 PNP

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904-AQ SOT-23 NPN

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40 V

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3906 SOT-23 PNP

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3906-AQ SOT-23 PNP

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT4401 SOT-23 NPN

Bestell-Nr.:2810124

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT4403 SOT-23 PNP

Bestell-Nr.:2810125

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Datenblatt

Datenblatt 2810120 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904 SOT-23 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2810120 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904 SOT-23 NPN

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=MMBT3904, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=950 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=300, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=60 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=40 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=300 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=200 mA, Leistungsverteilung (PV)=350 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle