Name: Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5401 SOT-23 PNP
Brand: Diotec
SKU: 2810127
Availability: InStock

Zwei elektronische Bauteile im SOT-23-Gehäuse. Oben ist die Bezeichnung 'SOT-23' aufgedruckt. Sie haben jeweils drei Anschlusspins.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

150 V

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Highlights & Details

BJT, SOT-23, 150V, 600mA, PNP

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Technische Daten

Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 150 V
DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 200
VCE: 5 V
IC: 10 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
IC: 50 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 300 MHz
IC: 10 mA
VCE: 10 V
f: 100 MHz

Typ: MMBT5401

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: SOT-23

Hersteller: Diotec

Ausführung: PNP

Collector-Strom I(C): 600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 150 V

VCE Sättigung (max.): 500 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.25 W

DC Stromverstärkung (hFE): 200

Transitfrequenz f(T): 100 MHz

Montageart: Oberflächenmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Collector-Strom I(C)

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

Leistung (max) P(TOT)

Ausführung

Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5401 SOT-23 PNP

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600 mA

150 V

0.25 W

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23 NPN

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A-AQ SOT-23 NPN

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2907A-AQ SOT-23 PNP

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904-AQ SOT-23 NPN

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200 mA

40 V

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3906-AQ SOT-23 PNP

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Datenblatt

Datenblatt 2810127 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5401 SOT-23 PNP

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=MMBT5401, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=160 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=-999, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=500 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=250 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101