Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA06-AQ SOT-23 NPN kaufen

Zwei SOT-23-Halbleitergehäuse in Schwarz, gezeigt in einer Draufsicht, mit seitlichen Anschlüssen für elektronische Schaltkreise.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

500 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

80 V

Datenblatt (PDF)

Lieferung Fr., 15. Jan. 2027

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Highlights & Details

BJT, SOT-23, 80V, 500mA, NPN

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 80 V
DC Kollektorstrom - IC: 500 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100
VCE: 1 V
IC: 100 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 250 mV
IC: 100 mA
IB: 10 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 2 V
f: 100 MHz

Typ: MMBTA06-AQ

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: SOT-23

Hersteller: Diotec

Ausführung: NPN

Collector-Strom I(C): 500 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V

VCE Sättigung (max.): 250 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.25 W

DC Stromverstärkung (hFE): 100

Transitfrequenz f(T): 100 MHz

Montageart: Oberflächenmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2810138 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA06-AQ SOT-23 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2810138 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA06-AQ SOT-23 NPN