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Highlights & Details
- Eigenschaften von Halbleiterelementen: sensitive gate
Technische Daten
- Typ
GH1_2669801
- Hersteller
Verschiedene Hersteller
- Inhalt
1 St.
Beschreibung
Ifsm: 25A 600V 4A Triac Igt: 35mA 3Q,Hi-Com DPAK
Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Eigenschaften von Halbleiterelementen: sensitive gate
Gatestrom: 35mA
Gehäuse: DPAK
Montage: SMD
Rückspannung max.: 0,6kV
Strom im max. Impuls: 25A
Typ des Thyristors: Triac
Verpackungs-Art: Rolle
Vorwärtsstrom max.: 4A
BTA204S-600C.118
Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Eigenschaften von Halbleiterelementen: sensitive gate
Gatestrom: 35mA
Gehäuse: DPAK
Montage: SMD
Rückspannung max.: 0,6kV
Strom im max. Impuls: 25A
Typ des Thyristors: Triac
Verpackungs-Art: Rolle
Vorwärtsstrom max.: 4A
BTA204S-600C.118