Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC - Gate-Treiber SOIC-8 Tube
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
PMIC - Gate-Treiber
Gehäuse
SOIC-8
Montageart
Oberflächenmontage
Typ
600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2
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Highlights & Details
IR High Voltage MOSFET-/IGBT-Gate-Driver
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Technische Daten
- (ton) Anschaltverzögerungszeit: 0,08 µs
- (toff) Abschaltverzögerungszeit: 0,045 µs
- Verpackungsart
Tube
- Typ
600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2
- Produkt-Art
PMIC - Gate-Treiber
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Spannungseingang min.
10 V
- Spannungseingang max.
20 V
- Betriebstemperatur (min.)
-40 °C
- Betriebstemperatur (max.)
+125 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Anwendungen
Stromüberwachung/Leistungsüberwachung
- UKCA
nicht relevant
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3028368 Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC - Gate-Treiber SOIC-8 Tube
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3028368 Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC - Gate-Treiber SOIC-8 Tube
Beschreibung
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