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Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-261-4
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.8 W
R(DS)(on)
45 Ω
Datenblatt (PDF)
2411 Stück
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Highlights & Details
Kleinsignal-Transistor
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Technische Daten
- Typ
BSP135H6327
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-261-4
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
120 mA
- U
600 V
- Leistung (max) P(TOT)
1.8 W
- R(DS)(on)
45 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
120 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
1 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
94 µA
- Q(G)
4.9 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
5 V
- C(ISS)
146 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
SIPMOS®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Deleption Mode
- U(DSS)
600 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4