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Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-236-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
500 mW
R(DS)(on)
6 Ω
Datenblatt (PDF)
1677 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Anzahl
Min.: 20
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Highlights & Details
Kleinsignal-Transistor
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Technische Daten
- Typ
BSS123NH
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-236-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
190 mA
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
500 mW
- R(DS)(on)
6 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
190 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
1.8 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
13 µA
- Q(G)
0.9 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
20.9 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
OptiMOS™
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 152902 Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 152902 Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3