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Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-236-3
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
8 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
30
-
0,06286 €
90
9% = 0,01 €
0,05713 €
150
12% = 0,01 €
0,05523 €
300
15% = 0,01 €
0,05332 €
600
17% = 0,01 €
0,05236 €
1200
20% = 0,01 €
0,05045 €
3000
23% = 0,01 €
0,04855 €
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Anzahl
Min.: 30
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Highlights & Details
Kleinsignal-Transistor
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Technische Daten
- Typ
BSS84P
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-236-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
170 mA
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
8 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
170 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
20 µA
- Q(G)
1.5 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
19 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
SIPMOS®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3