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Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
12 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
1,25 €
9
8% = 0,10 €
1,15 €
15
10% = 0,13 €
1,12 €
30
14% = 0,17 €
1,08 €
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Min.: 3
Gesamt (1,25 € / Stück)
3,75 €
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Highlights & Details
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF1010E
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
84 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
12 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
50 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
3210 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220