Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAK
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Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
D2PAK
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.0084 Ω
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF1018ESPBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
D2PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
79 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.0084 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAK