Abbildung ähnlich
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Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
D2PAK
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
23 mΩ
Datenblatt (PDF)
568 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Anzahl
Gesamt (0,71 € / Stück)
1,50 €
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Highlights & Details
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF3710SPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
D2PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
57 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
23 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
28 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
3130 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK