Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 170 W D2PAK
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Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
D2PAK
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
0.06 Ω
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF5210SPBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
D2PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-38 A
- U
-100 V
- Leistung (max) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
0.06 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 170 W D2PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 170 W D2PAK