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Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-263-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Datenblatt (PDF)
736 Stück
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Highlights & Details
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF630N
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-263-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
9.3 A
- U
200 V
- Leistung (max) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
5.4 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
575 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3
Beschreibung
Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.