Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
150 W
R(DS)(on)
150 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,25 €
10
8% = 0,10 €
1,15 €
25
10% = 0,13 €
1,12 €
50
14% = 0,17 €
1,08 €
100
14% = 0,18 €
1,07 €
250
18% = 0,22 €
1,03 €
500
20% = 0,25 €
1,00 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Gesamt (1,25 € / Stück)
1,25 €
zzgl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF640NPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
18 A
- U
200 V
- Leistung (max) P(TOT)
150 W
- R(DS)(on)
150 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
11 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
67 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
1160 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220
Beschreibung
Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.