Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8
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Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.098 Ω
Datenblatt (PDF)
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Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
0,88030 €
10
8% = 0,07 €
0,80946 €
25
11% = 0,09 €
0,78585 €
50
13% = 0,12 €
0,76224 €
100
15% = 0,13 €
0,75044 €
250
17% = 0,15 €
0,72682 €
500
20% = 0,18 €
0,70321 €
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF7319PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
- I(d)
6.5 A
- U
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.098 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026243 Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026243 Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8