Infineon Technologies IRF9952PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Datenblatt (PDF)
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150
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0,38871 €
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF9952PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
- I(d)
3.5 A
- U
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.4 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026368 Infineon Technologies IRF9952PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026368 Infineon Technologies IRF9952PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8