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Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
3,18 €
10
7% = 0,23 €
2,95 €
25
10% = 0,31 €
2,87 €
50
12% = 0,39 €
2,79 €
100
14% = 0,43 €
2,75 €
250
16% = 0,51 €
2,67 €
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Highlights & Details
Transistor unipolar (MOSFET)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRFB4110PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
120 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.5 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
75 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
210 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
9620 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220AB