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Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
2 mΩ
Datenblatt (PDF)
160 Stück
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRFB7530PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
195 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
2 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
100 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3.7 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
411 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
13703 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
StrongIRFET™
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB