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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBT2907A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape cut
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-600 mA
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
NF-Transistor
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape cut
- Typ
SMBT2907A
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-60 V
- VCE Sättigung (max.)
-1.6 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
-10 nA
- Leistung (max) P(TOT)
330 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-150 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-10 V
- Transitfrequenz f(T)
200 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 153875 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBT2907A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 153875 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBT2907A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut