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IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
300 W
R(DS)(on)
1.9 Ω
Datenblatt (PDF)
53 Stück
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Highlights & Details
Transistor unipolar (MOSFET)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IXFP7N100P
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
IXYS
- Herst.-Abk.
IXY
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
7 A
- U
1000 V
- Leistung (max) P(TOT)
300 W
- R(DS)(on)
1.9 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
3.5 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
6 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
- Q(G)
47 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
2590 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HiPerFET™
PolarP2™
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
1000 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 160790 IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 160790 IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220AB