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IXYS IXFQ60N50P3 MOSFET 1 N-Kanal 1040 W TO-3P
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-3P
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1040 W
R(DS)(on)
100 mΩ
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Technische Daten
- Typ
IXFQ60N50P3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-3P
- Hersteller
IXYS
- Herst.-Abk.
IXY
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
60 A
- U
500 V
- Leistung (max) P(TOT)
1040 W
- R(DS)(on)
100 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
30 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
4 mA
- Q(G)
96 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
6250 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HiPerFET™
Polar3™
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
500 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 564304 IXYS IXFQ60N50P3 MOSFET 1 N-Kanal 1040 W TO-3P
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564304 IXYS IXFQ60N50P3 MOSFET 1 N-Kanal 1040 W TO-3P