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Infineon Technologies IRLR2905ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 110 W DPAK
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
DPAK
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
13.5 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,08 €
10
7% = 0,08 €
1,00 €
25
11% = 0,12 €
0,96 €
50
13% = 0,14 €
0,94 €
100
15% = 0,16 €
0,92 €
250
18% = 0,19 €
0,89 €
500
19% = 0,21 €
0,87 €
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1,08 €
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Highlights & Details
Transistor unipolar (MOSFET)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRLR2905ZPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
DPAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
42 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
13.5 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
36 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
5 V
- C(ISS)
1570 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
55 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 161198 Infineon Technologies IRLR2905ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 110 W DPAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 161198 Infineon Technologies IRLR2905ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 110 W DPAK