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NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13009,127 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
12 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
400 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,50 €
10
7% = 0,11 €
1,39 €
25
11% = 0,16 €
1,34 €
50
13% = 0,20 €
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Highlights & Details
Leistungs-Schalttransistor
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Technische Daten
- Typ
PHE13009,127
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
NXP Semiconductors
- Herst.-Abk.
NXP
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
12 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
400 V
- VCE Sättigung (max.)
2 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 µA
- Leistung (max) P(TOT)
80 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
8
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 150857 NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13009,127 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150857 NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13009,127 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN