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ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) SS9018HBU TO-226-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
HF-Transistor (BJT)
Gehäuse
TO-226-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
50 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
15 V
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
20
-
0,13877 €
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Highlights & Details
Transistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
SS9018HBU
- Produkt-Art
HF-Transistor (BJT)
- Gehäuse
TO-226-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
50 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
15 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Leistung (max) P(TOT)
400 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
97
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
1.1 GHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
