Abbildung ähnlich
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ON Semiconductor Optokoppler Phototransistor CNY173M DIP-6 Transistor mit Basis DC
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Optokoppler Phototransistor
Gehäuse
DIP-6
Durchlassstrom I(F)
60 mA
Sperrspannung U(R)
6 V
Montageart
Durchführungsloch
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
100
-
0,42 €
300
10% = 0,04 €
0,38 €
500
12% = 0,05 €
0,37 €
1000
17% = 0,07 €
0,35 €
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Min.: 100
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42,00 €
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Highlights & Details
Optokoppler/-Isolator
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Technische Daten
- Typ
CNY173M
- Produkt-Art
Optokoppler Phototransistor
- Gehäuse
DIP-6
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- U typ.
1.35 V
- Durchlassstrom I(F)
60 mA
- Sperrspannung U(R)
6 V
- Kanäle
1
- Eingangstyp
DC
- Ausgabetyp
Transistor mit Basis
- Isolationsspannung
4170 V RMS
- Betriebstemperatur (min.)
+100 °C
- Betriebstemperatur (max.)
-40 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Durchlassspannung U(F) min.
1 V
- Durchlassspannung U(F) max.
1.65 V
- Anstiegszeit
4 µs
- Abfallzeit
3.5 µs
- Stromausgang/Kanal
50 mA
- Kriechstrecke
7 mm
- Leistung (max) P(TOT)
270 mW
- Spannungs-Ausgabe (max)
70 V
- Strom-Übertragungsrate (min.)
100 %
- Strom-Übertragungsrate (min.) - Stromreferenz
10 mA
- Stromübertragungsverhältnis (max.)
200 %
- VCE Sättigung (max.)
400 mV
- Inhalt
1 St.
