Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-3
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
30 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
120 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
10,08 €
3
6% = 0,58 €
9,50 €
5
8% = 0,78 €
9,30 €
10
10% = 0,97 €
9,11 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Gesamt (10,08 € / Stück)
10,08 €
zzgl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
Darlington Leistungstransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
MJ11016G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
30 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
120 V
- VCE Sättigung (max.)
4 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
1 mA
- Leistung (max) P(TOT)
200 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
1000
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
20 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
4 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington