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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE18004G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
450 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,50 €
10
7% = 0,11 €
1,39 €
25
11% = 0,16 €
1,34 €
50
13% = 0,20 €
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Highlights & Details
Leistungs-Schalttransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
MJE18004G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
5 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
450 V
- VCE Sättigung (max.)
750 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 µA
- Leistung (max) P(TOT)
75 W
- Serie
SWITCHMODE™
- DC Stromverstärkung (hFE)
14
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
300 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
13 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151029 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE18004G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151029 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE18004G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN