STMicroelectronics STD100N10F7 MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
120 W
R(DS)(on)
0.008 Ω
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
STM SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet STD_
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Technische Daten
- Typ
STD100N10F7
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-252
- Hersteller
STMicroelectronics
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
80 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
120 W
- R(DS)(on)
0.008 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026572 STMicroelectronics STD100N10F7 MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026572 STMicroelectronics STD100N10F7 MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252