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STMicroelectronics STP4NK60Z MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220 Tube
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
70 W
Datenblatt (PDF)
50 Stück
Neu
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Highlights & Details
STM Leistungs-MOSFETs STP_ TO220
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Details: N-CHANNEL600V-1.76W-4A Protected SuperMESH™Power MOSFETDrain-Source-Spannung: 600 VGate-Schwellenspannung: +/- 30 VDunkelstrom @Tc = 25 °C: 4 AEinzelimpuls-Stoßentladungsenergie: 120 mJGesamtverlustleistung @ Tc <= 25 °C: 70 WBetriebstemperatur: -55 - 150 °C
- Verpackungsart
Tube
- Typ
STP4NK60Z
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
4 A
- U
600 V
- Leistung (max) P(TOT)
70 W
- R(DS)(on)
2 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
4 A
- U(GS)(th) max.
30 V
- C(ISS)
510 pF
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
600 V
- Kanäle
1
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026609 STMicroelectronics STP4NK60Z MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220 Tube
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026609 STMicroelectronics STP4NK60Z MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220 Tube
Beschreibung
Details: N-CHANNEL600V-1.76W-4A Protected SuperMESH™Power MOSFET
Drain-Source-Spannung: 600 V
Gate-Schwellenspannung: +/- 30 V
Dunkelstrom @Tc = 25 °C: 4 A
Einzelimpuls-Stoßentladungsenergie: 120 mJ
Gesamtverlustleistung @ Tc <= 25 °C: 70 W
Betriebstemperatur: -55 - 150 °C