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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD679 SOT-32-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-32-3
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
4 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
Datenblatt (PDF)
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Technische Daten
- Typ
BD679
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-32-3
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
4 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- VCE Sättigung (max.)
2.5 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
500 µA
- Leistung (max) P(TOT)
40 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
750
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1.5 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
3 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 150979 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD679 SOT-32-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Beschreibung
Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.