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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDW93C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
12 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
0,82 €
9
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0,76 €
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0,73 €
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€
Technische Daten
- Typ
BDW93C
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
12 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
- VCE Sättigung (max.)
3 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
1 mA
- Leistung (max) P(TOT)
80 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
750
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
3 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 155431 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDW93C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 155431 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDW93C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington