STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP122 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220AB

Ausführung

NPN - Darlington

Collector-Strom I(C)

5 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

100 V

Datenblatt (PDF)

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Leistungstransistor (ST Microelectronics®)

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Technische Daten

Typ: TIP122

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: TO-220AB

Hersteller: STMicroelectronics

Herst.-Abk.: STM

Kanäle: 1

Ausführung: NPN - Darlington

Collector-Strom I(C): 5 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V

VCE Sättigung (max.): 4 V

Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA

Leistung (max) P(TOT): 2 W

DC Stromverstärkung (hFE): 1000

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 3 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V

Montageart: Durchführungsloch

Inhalt: 1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 155442 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP122 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 155442 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP122 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington