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Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-18
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
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Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
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Technische Daten
- Typ
2N2222A
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-18
- Hersteller
Central Semiconductor corp.
- Herst.-Abk.
CSC
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
800 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
- VCE Sättigung (max.)
1 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
10 nA
- Leistung (max) P(TOT)
500 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
150 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
10 V
- Transitfrequenz f(T)
300 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 1359807 Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN