
Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
BYG10M-E3/TR
Avalanche Diode
Vishay
VIS
1.5 A
1000 V
1.15 V
1.5 A
-55 °C
+150 °C
DO-214AC
Oberflächenmontage
1 µA
1000 V
4 µs
Datenblatt 564934 Vishay Avalanche Diode BYG10M-E3/TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Sperrspannung U(R) 1000 V Durchlassstrom I(F) 1.5 A
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564934 Vishay Avalanche Diode BYG10M-E3/TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Sperrspannung U(R) 1000 V Durchlassstrom I(F) 1.5 A