
Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
BYV26E-TAP
Avalanche Diode
Vishay
VIS
1 A
1000 V
2.5 V
1 A
-55 °C
+175 °C
SOD-57
Durchführungsloch
5 µA
1000 V
75 ns
Datenblatt 564959 Vishay Avalanche Diode BYV26E-TAP Gehäuseart (Halbleiter) SOD-57 Sperrspannung U(R) 1000 V Durchlassstrom I(F) 1 A
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564959 Vishay Avalanche Diode BYV26E-TAP Gehäuseart (Halbleiter) SOD-57 Sperrspannung U(R) 1000 V Durchlassstrom I(F) 1 A