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Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 2.3 W SOT-23-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.3 W
R(DS)(on)
190 mΩ
Datenblatt (PDF)
2877 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
0,62 €
10
8% = 0,05 €
0,57 €
25
11% = 0,07 €
0,55 €
50
13% = 0,08 €
0,54 €
100
15% = 0,09 €
0,53 €
250
18% = 0,11 €
0,51 €
500
19% = 0,12 €
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
SI2303CDS-T1-GE3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
Vishay
- Herst.-Abk.
VIS
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
2.7 A
- U
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
2.3 W
- R(DS)(on)
190 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
1.9 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
8 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
155 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
TrenchFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
30 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 2.3 W SOT-23-3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 2.3 W SOT-23-3