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Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 1.7 W SOT-23-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.7 W
R(DS)(on)
345 mΩ
Datenblatt (PDF)
2846 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
0,74 €
10
8% = 0,06 €
0,68 €
25
11% = 0,08 €
0,66 €
50
14% = 0,10 €
0,64 €
100
15% = 0,11 €
0,63 €
250
18% = 0,13 €
0,61 €
500
20% = 0,15 €
0,59 €
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
SI2309CDS-T1-GE3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
Vishay
- Herst.-Abk.
VIS
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
1.6 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
1.7 W
- R(DS)(on)
345 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
1.25 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
4.1 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
- C(ISS)
210 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
30 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
TrenchFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 597301 Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 1.7 W SOT-23-3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 597301 Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 1.7 W SOT-23-3