Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel
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Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape on Full reel
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
5 W
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
50
-
0,51148 €
150
8% = 0,04 €
0,47032 €
250
11% = 0,05 €
0,45661 €
500
13% = 0,07 €
0,44288 €
1000
15% = 0,08 €
0,43603 €
2000
17% = 0,09 €
0,42230 €
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Highlights & Details
Vishay SMD-Leistungs-MOSFETs SI_Y-GE3 SO
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape on Full reel
- Typ
SI4435DDY-T1-GE3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-11.4 A
- U
-30 V
- Leistung (max) P(TOT)
5 W
- R(DS)(on)
0.035 Ω
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- Höhe
0.00 mm
- Länge
0 mm
- Breite
0.00 mm
- Gewicht
0
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026542 Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026542 Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel