Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape on Full reel
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
4.2 W
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Highlights & Details
Vishay SMD-Leistungs-MOSFETs SI_Y-GE3 SO
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape on Full reel
- Typ
SI4447ADY-T1-GE3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-7.2 A
- U
-40 V
- Leistung (max) P(TOT)
4.2 W
- R(DS)(on)
0.062 Ω
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- Höhe
0.00 mm
- Länge
0 mm
- Breite
0.00 mm
- Gewicht
0
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel