Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape on Full reel
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.78 W
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
50
-
0,73735 €
150
8% = 0,06 €
0,67802 €
250
11% = 0,08 €
0,65824 €
500
13% = 0,10 €
0,63846 €
1000
15% = 0,11 €
0,62857 €
2000
17% = 0,13 €
0,60880 €
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Highlights & Details
Vishay SMD-Leistungs-MOSFETs SI_Y-GE3 SO
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape on Full reel
- Typ
SI4532CDY-T1-GE3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
- I(d)
6 A
- U
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
1.78 W
- R(DS)(on)
0.14 Ω
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
- Höhe
0.00 mm
- Länge
0 mm
- Breite
0.00 mm
- Gewicht
0
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel