Vishay SI4925DDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-Kanal 2.5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape on Full reel
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.5 W
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
50
-
1,16566 €
150
8% = 0,09 €
1,07187 €
250
11% = 0,13 €
1,04060 €
500
13% = 0,16 €
1,00933 €
1000
15% = 0,17 €
0,99370 €
2000
17% = 0,20 €
0,96243 €
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Anzahl
Min.: 50
Vielfache: 50
Tape on Full reel
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Highlights & Details
Vishay SMD-Leistungs-MOSFETs SI_Y-GE3 SO
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape on Full reel
- Typ
SI4925DDY-T1-GE3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Ausführung
P-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.5 W
- R(DS)(on)
0.041 Ω
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
- Höhe
0.00 mm
- Länge
0 mm
- Breite
0.00 mm
- Gewicht
0
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026483 Vishay SI4925DDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-Kanal 2.5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026483 Vishay SI4925DDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-Kanal 2.5 W SOIC-8 Tape on Full reel