Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape on Full reel
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
50
-
0,53804 €
150
8% = 0,04 €
0,49475 €
250
11% = 0,06 €
0,48031 €
500
13% = 0,07 €
0,46588 €
1000
15% = 0,08 €
0,45866 €
2000
17% = 0,09 €
0,44424 €
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Anzahl
Min.: 50
Vielfache: 50
Tape on Full reel
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Highlights & Details
Vishay SMD-Leistungs-MOSFETs SI_Y-GE3 SO
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape on Full reel
- Typ
SI9933CDY-T1-GE3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Ausführung
P-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.094 Ω
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
175 °C
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
- Höhe
0.00 mm
- Länge
0 mm
- Breite
0.00 mm
- Gewicht
0
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel