Vishay SO8 Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 5W -5,9A -30V MOSFET 2 P-Kanal 2.5 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape on Full reel
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.5 W
Datenblatt (PDF)
271 Stück
Neu
Rechnungsstellung für alle Partner-Artikel jetzt direkt durch ConradMenge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
3,98 €
10
24% = 0,95 €
3,03 €
31
33% = 1,30 €
2,68 €
72
33% = 1,33 €
2,65 €
1000
34% = 1,34 €
2,64 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Tape on Full reel
Stück (Inhalt: )
Stück (Inhalt: )
Gesamt (3,98 € / Stück)
3,98 €
zzgl. MwSt.
& 14 Tage Rückgaberecht inklusive
Sie haben bereits das beste Angebot für Ihre Menge.
Highlights & Details
Vishay SMD-Leistungs-MOSFETs SI_Y-GE3 SO
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Verpackungsart
Tape on Full reel
- Typ
SO8 Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 5W -5,9A -30V
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Ausführung
P-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.5 W
- R(DS)(on)
0.041 Ω
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
- Höhe
0.00 mm
- Länge
0 mm
- Breite
0.00 mm
- Gewicht
0
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026483 Vishay SO8 Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 5W -5,9A -30V MOSFET 2 P-Kanal 2.5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026483 Vishay SO8 Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 5W -5,9A -30V MOSFET 2 P-Kanal 2.5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Beschreibung
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -5,9A
Gate-Ladung: 50nC
Gate-Source Spannung: ±20V
Gehäuse: SO8
Drainstrom: -5,9A
Gate-Ladung: 50nC
Gate-Source Spannung: ±20V
Gehäuse: SO8