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VOLTCRAFT UC-1XCX003 USB Ladegerät 45 W Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25 A 1 x 1x USB-C® GaN
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Anzahl
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18,48 €
-14 %
€
Highlights & Details
USB LADEGERÄT 45W UC-1XCX003 GAN
- Max. 45 W
- GaN-Technologie (niedrige Temperatur)
- Unterstützt Schnellaufladung per Power Delivery (PD3.0)
- Unterstützt Schnellaufladung für iPhone 8 oder höher
Technische Daten
- Produkt-Art
USB Ladegerät
45 W
- Eingänge
Euro-Stecker
- Anzahl Ausgänge
1 x
- Ausgänge
1x USB-C®
- Ausgangsstrom (max.) - gerundet
2.25 A
- Ausgangsstrom (max.)
2.25 A
- Max. Ausgangsstrom je Kanal
2.25 A
- Typ
UC-1XCX003
- Passend für
Smartphone
Tablet
- Passend für
Universal
- Netzgeräte-Besonderheiten
GaN
- Abm.
(L x B x H) 92.9 x 50.4 x 31 mm
- Höhe
31 mm
- Länge
92.9 mm
- Breite
50.4 mm
- Gewicht
116
- Herstellerfarbe
Weiß
- Einsatzort
Innenbereich
- Ladetechnologie
USB PD
- Plastikfreie Verpackung
Plastikfreie Verpackung
Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)
Leistung
Anzahl Ausgänge
Ausgangsstrom (max.) - gerundet
Max. Ausgangsstrom je Kanal
Ausgänge
VOLTCRAFT UC-1XCX003 USB Ladegerät 45 W Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25 A 1 x 1x USB-C® GaN
Dieser Artikel
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2.25 A
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Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2612923 VOLTCRAFT UC-1XCX003 USB Ladegerät 45 W Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25 A 1 x 1x USB-C® GaN
Garantiebedingungen
Garantiebedingungen 2612923 VOLTCRAFT UC-1XCX003 USB Ladegerät 45 W Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25 A 1 x 1x USB-C® GaN
Beschreibung
Schnelle Ladegeräte für Telefone, Tablets, Switches, Powerbanks und Laptops. Laden Sie Ihr Gerät schnell, sicher und zuverlässig auf.
GaN Technologie (geringe Wärmeentwicklung)
Galliumnitrid kurz GaN ist ein Material, welches für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich zu herkömmlichen standard Ladegeräten.
GaN Technologie (geringe Wärmeentwicklung)
Galliumnitrid kurz GaN ist ein Material, welches für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich zu herkömmlichen standard Ladegeräten.
Ausführung
- 1 x USB-C® Anschluss mit Schnellaufladefunktion per Power Delivery
- Kompatible Geräte/Systeme: iOS und Android; USB-Geräte
- Ideal zum Laden von Mobiltelefonen, Tablets und Laptops (z. B. Samsung S22)
- Handliches Format mit patentiertem Design
- Fortschrittliche GaN Technologie ermöglicht höchste Ladegeschwindigkeiten bei bis zu 99 % der Geräte.
- Vierseitige Ultraschall-Technologie
- Leicht und kompakt
- VDI21-Musteroberfläche mit SPI A1-Hochglanzbeschichtung
- Zum schnellen, sicheren und zuverlässigen Aufladen von Geräten
Lieferumfang
- USB-Ladegerät
- 2 m USB-C® / USB-C® (3 A) Kabel
- Anleitung
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