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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP

Ein schwarzer D-Pak-Halbleiterbaustein mit silbernen Anschlüssen. Oben ist ein Logo und der Text 'D-PAK' zu sehen.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-5000 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details

BJT, DPAK, -50V, -5000mA, PNP

Unser Service für Sie

Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: TO-252AA/D-PAK
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: -50 V
  • DC Kollektorstrom - IC: -5000 mA
  • Polarität - pol: PNP
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 5.000 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 150
  • VCE: -1 V
  • IC: -1000 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 400 mV
  • IC: -3 mA
  • IB: -150 mA
  • Transitfrequenz - ft: 60 MHz
  • IC: -1 mA
  • VCE: -4 V
  • f: 1 MHz
Typ

2SA1012R

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-252AA

Hersteller

Diotec

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

-5000 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

-50 V

VCE Sättigung (max.)

400 mV

Leistung (max) P(TOT)

5 W

DC Stromverstärkung (hFE)

150

Transitfrequenz f(T)

1 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809006 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809006 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP

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Gesamtpreis:

18,11 €*

Zubehör

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