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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

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Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
160 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

BJT, DPAK, 160V, 1500mA, NPN

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Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: TO-252AA/D-PAK
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 160 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 1500 mA
  • Polarität - pol: NPN
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 15.000 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 150
  • VCE: 5 V
  • IC: 100 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 1500 mV
  • IC: 500 mA
  • IB: 50 mA
  • Transitfrequenz - ft: 100 MHz
  • IC: 100 mA
  • VCE: 10 V
  • f: MHz
Typ

2SC2983

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-252AA

Hersteller

Diotec

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1500 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

160 V

VCE Sättigung (max.)

1500 mV

Leistung (max) P(TOT)

15 W

DC Stromverstärkung (hFE)

150

Montageart

Oberflächenmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809008 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809008 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=2SC2983, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=160 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=160 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.5 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=1.5 A, Leistungsverteilung (PV)=-999, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=TO-252AA, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle

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